快速紅外輻射鍍金聚焦?fàn)t
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
我所以優(yōu)質(zhì)紅外發(fā)熱管為加熱元件,采用紅外線鏡面反射技術(shù),成功研制出快速紅外輻射鍍金聚焦?fàn)t。該加熱裝置解決了傳統(tǒng)電爐升降溫速度慢、使用效率低等難點(diǎn),控制部分采用智能化控溫系統(tǒng),可控硅控制,爐體為雙層爐殼,采用水冷系統(tǒng)/風(fēng)冷系統(tǒng),延長(zhǎng)加熱元件壽命。
拋物線聚焦圖例 橢圓聚焦圖例
二、技術(shù)參數(shù):
1、最高溫度:1700℃,長(zhǎng)期使用溫度:1600℃(注:理論最高溫度和實(shí)際最高溫度取決于試樣材料。)
2、最高區(qū)間升溫速率:>280℃/s;
3、電壓功率:220(380)V;6-36kw;
4、加熱方式:紅外輻射加熱;
5、加熱區(qū)間:點(diǎn)、線(柱狀)、面加熱;
6、反射面冷卻方式:水冷;
7、控溫精度:±1℃;
8、溫度顯示精度:0.1℃;
9、控制方式:配備智能溫控儀表,可控硅控制,可實(shí)現(xiàn)30段程序控溫。
三、主要功能和特點(diǎn):
1、可擴(kuò)展在真空/不同氣氛/不同環(huán)境下,對(duì)不同產(chǎn)品、樣品進(jìn)行快速熱處理;
2、溫控精度高;
3、適合高校、科研院所、企業(yè)實(shí)驗(yàn)室使用;
4、操作方便,試樣裝取容易;
5、價(jià)格合理,性價(jià)比高。
四、主要用途:
1、電子材料
(1)硅(Si)和化合物半導(dǎo)體的實(shí)時(shí)分析器(RTA);
(2)薄膜成型的熱源;
(3)離子注入后的激活器;
(4)硅化物成型的熱源。
2、陶瓷材料/無(wú)機(jī)材料
(1)陶瓷基片層壓板的退火爐;
(2)玻璃基片的退火爐;
(3)陶瓷拉伸、彎曲試驗(yàn)的退火爐;
(4)超導(dǎo)陶瓷的退火爐;
(5)陶瓷加熱、循環(huán)加熱試驗(yàn)的退火爐。
3、鋼制材料/金屬材料
(1)薄鋼板加熱過程分析爐;
(2)焊接分析爐;
(3)高溫(1000℃以下)真空加熱試驗(yàn)爐;
(4)大氣條件熔化過程分析爐;
(5)高壓下,難熔鋼和鋁循環(huán)加熱試驗(yàn)爐;
4、復(fù)合材料
(1)絕熱性評(píng)估測(cè)試用爐;
(2)無(wú)機(jī)化合物循環(huán)加熱試驗(yàn)爐。
5、其他
(1)高溫條件下,拉伸、壓縮試驗(yàn)用爐;
(2)分段控制爐;
(3)溫度梯度爐;
(4)析出氣體分析爐。